نیشنل تائیوان انسٹی ٹیوٹ آف ٹکنالوجی نے 10 تاریخ کو ریاستہائے متحدہ میں منعقدہ بین الاقوامی الیکٹرانک اجزاء کانفرنس (آئی ای ڈی ایم) میں 6 تکنیکی کاغذات جن میں فیرو الیکٹرک میموری (ایف آر اے ایم) اور میگنیٹوریسیٹو بے ترتیب رسائی میموری (ایم آر اے ایم) شامل ہیں کا اعلان کیا۔ ان میں ، تحقیقی نتائج سے پتہ چلتا ہے کہ ٹی ایس ایم سی اور سیمسنگ کی ایم آر اے ایم ٹکنالوجی کے مقابلے میں ، آئی ٹی آر آئی کو مستحکم اور تیز رسائی کے فوائد ہیں۔
قومی تائیوان انسٹی ٹیوٹ آف ٹکنالوجی کے انسٹی ٹیوٹ آف الیکٹرو آپٹیکل سسٹم کے ڈائریکٹر وو ژہی نے کہا کہ 5 جی اور اے آئی دور کی آمد کے ساتھ ، مور کا قانون نیچے اور نیچے سکڑ رہا ہے ، سیمی کنڈکٹر متضاد انضمام کی طرف بڑھ رہے ہیں ، اور موجودہ کمپیوٹنگ پابندیوں کو ختم کرنے والی اگلی نسل کی میموری زیادہ اہم کردار ادا کرے گی۔ انسٹی ٹیوٹ کی ابھرتی ہوئی ایف آر اے ایم اور ایم آر اے ایم پڑھنے اور لکھنے کی رفتار معروف فلیش میموری سے سیکڑوں یا اس سے بھی ہزاروں گنا زیادہ تیز ہے۔ وہ تمام غیر مستحکم یادیں ہیں جن میں کم اسٹینڈ بائی بجلی کی کھپت اور اعلی پروسیسنگ کی کارکردگی کے فوائد ہیں۔ مستقبل میں درخواست کی ترقی کی صلاحیت کی توقع ہے۔
انہوں نے مزید بتایا کہ ایف آر اے ایم کی آپریٹنگ بجلی کی کھپت انتہائی کم ہے ، جو آئی او ٹی اور پورٹیبل ڈیوائس ایپلی کیشنز کے لئے موزوں ہے۔ مرکزی آر اینڈ ڈی بیچنے والے ٹیکساس کے ساز و سامان اور فوجیتسو ہیں۔ ایم آر اے ایم تیز اور قابل اعتماد ہے ، ان علاقوں کے لئے موزوں ہے جن کو اعلی کارکردگی کی ضرورت ہوتی ہے ، جیسے خود چلانے والی کاریں۔ ، کلاؤڈ ڈیٹا سینٹرز ، وغیرہ اہم ڈویلپرز TSMC ، Samsung ، انٹیل ، GF ، وغیرہ ہیں۔
ایم آر اے ایم ٹکنالوجی کی ترقی کے معاملے میں ، آئی ٹی آر آئی نے اسپن آربیٹ ٹارک (ایس او ٹی) کے نتائج جاری کیے ، اور انکشاف کیا کہ اس ٹیکنالوجی کو کامیابی کے ساتھ اس کے اپنے پائلٹ پروڈکشن وفر فب میں متعارف کرایا گیا ہے اور اس نے تجارتی کاری کی طرف رواں دواں رکھا ہے۔
آئی ٹی آر آئی نے وضاحت کی کہ بڑے پیمانے پر تیار ہونے والی ٹی ایس ایم سی ، سیمسنگ ، اور دوسری دوسری نسل کی ایم آر اے ایم ٹیکنالوجیز کے مقابلے میں ، ایس او ٹی - ایم آر ایم اس انداز میں کام کرتا ہے کہ لکھنے والا موجودہ ڈیوائس کی مقناطیسی سرنگ کی پرت کے ڈھانچے سے نہیں گذرتا ہے۔ ، موجودہ ایم آر اے ایم کی کارروائیوں سے گریز کرنا۔ پڑھنے اور تحریری دھاروں سے اجزاء کو براہ راست نقصان پہنچتا ہے ، اور اعداد و شمار تک زیادہ مستحکم اور تیز رسائی کا فائدہ بھی حاصل ہوتا ہے۔
ایف آر اے ایم کی شرائط میں ، موجودہ ایف آر اے ایم پیروسکائٹ کرسٹل کو بطور مواد استعمال کرتا ہے ، اور پیروسکائٹ کرسٹل مواد میں پیچیدہ کیمیائی اجزا ہوتے ہیں ، پیدا کرنا مشکل ہوتا ہے ، اور اس میں موجود عناصر سلیکن ٹرانجسٹروں میں مداخلت کرسکتے ہیں ، اس طرح ایف آر اے ایم کے اجزاء کی مقدار کو کم سے کم کرنے کی مشکل میں اضافہ ہوتا ہے اور مینوفیکچرنگ لاگت۔ . آئی ٹی آر آئی نے آسانی سے دستیاب ہفنیم زیرکونیم آکسائڈ فیرو الیکٹرک ماد withوں کے ساتھ کامیابی کے ساتھ تبدیل کردیا ، جس نے نہ صرف عمدہ اجزاء کی وشوسنییتا کی تصدیق کی ، بلکہ دو جہتی طیارے سے اجزاء کو مزید تین جہتی ڈھانچے میں بھی فروغ دیا ، سکڑتے ہوئے مظاہرہ کیا۔ 28 نینو میٹر سے نیچے ایمبیڈڈ یادوں کی صلاحیت۔ .
ایک اور فریم پیپر میں ، آئی ٹی آر آئی غیر مستحکم اسٹوریج کے اثر کو حاصل کرنے کے لئے منفرد کوانٹم سرنگ اثر استعمال کرتا ہے۔ ہافنیم-زرکونیم آکسائڈ فیرو الیکٹرک ٹنلنگ انٹرفیس موجودہ یادوں کے مقابلے میں انتہائی کم حالیہ 1000 گنا کم کام کرسکتا ہے۔ 50 نانو سیکنڈز کی تیز رفتار رسائک کی صلاحیت اور 10 ملین سے زائد آپریشنز کی استحکام کے ساتھ ، اس جزو کو مستقبل میں صحیح اور موثر اے آئی آپریشن کے ل the انسانی دماغ میں پیچیدہ عصبی نیٹ ورکس کو نافذ کرنے کے لئے استعمال کیا جاسکتا ہے۔
آئی ای ڈی ایم سیمی کنڈکٹر سیمیکمڈکٹر ٹیکنالوجی کی صنعت کا سالانہ اجلاس ہے۔ دنیا کے اعلی سیمیکمڈکٹر اور نینو ٹیکنالوجی کے ماہرین ہر سال جدید الیکٹرانک اجزاء کے ترقیاتی رجحان پر تبادلہ خیال کرتے ہیں۔ آئی ٹی آر آئی نے متعدد اہم مقالے شائع کیے ہیں اور ابھرتے ہوئے میموری فیلڈ میں سب سے زیادہ شائع ہوئے ہیں۔ متعدد اداروں میں جنھوں نے کاغذات بھی شائع کیے ہیں ان میں اعلی سیمی کنڈکٹر کمپنیاں شامل ہیں جیسے ٹی ایس ایم سی ، انٹیل ، اور سیمسنگ۔